Intel® Cyclone® 10 GX内核架构和通用I/O手册

ID 683775
日期 6/14/2018
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2.2.3.2. 混合端口Read-During-Write模式

混合端口read-during-write模式应用于简单和真双端口RAM模式,其中两个端口使用同一时钟对同一存储器地址执行读写操作,一个端口读数据,一个端口写数据。

表 3.  混合端口Read-During-Write模式下RAM的输出模式
输出模式 存储器类型 说明
"new data" MLAB

对不同端口的read-during-write操作会导致MLAB寄存输出在数据被写入到MLAB存储器后的下一个时钟上升沿显示为“new data”。

仅当输出被寄存时才可使用此模式。

"old data" M20K, MLAB

对不同端口的read-during-write操作会导致RAM输出端在相应地址上显示“old data”值。

对于MLAB,仅当输出被寄存时才可使用此模式。

"don't care" M20K, MLAB

RAM输出“don’t care”或者“unknown”值。

  • 对于M20K存储器, Quartus® Prime Pro Edition软件不分析读写操作之间的时序。
  • 对于MLAB,默认情况下 Quartus® Prime Pro Edition软件分析读写操作之间的时序。要禁用此行为,需要开启Do not analyze the timing between write and read operation. Metastability issues are prevented by never writing and reading at the same address at the same time选项。
"constrained don't care" MLAB

RAM输出“don’t care”或“unknown”值。 Quartus® Prime Pro Edition软件分析MLAB中的读写操作之间的时序。

图 15. 混合端口Read-During-Write: New Data模式此图显示了“new data” 模式的混合端口read- during-write行为的功能波形样例。


图 16. 混合端口Read-During-Write: Old Data模式此图显示了“old data” 模式的混合端口read- during-write行为的功能波形样例。


图 17. 混合端口Read-During-Write: Don’t Care或Constrained Don’t Care模式此图显示了“don’t care”或“constrained don’t care”模式的混合端口read-during-write行为的功能波形样例。


在双端口RAM模式中,如果输入寄存器具有相同时钟,那么就支持混合端口read-during-write操作。