Intel® Cyclone® 10 GX内核架构和通用I/O手册

ID 683775
日期 6/14/2018
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10.4.2.1.2. MD[1:0]不等于2'b11时,Core Access Mode下电压传感器(Voltage Sensor)的访问

以下时序结构图显示为MD [1:0]不等于2'b11时,内核访问模式(core access mode)下访问电压传感器(voltage sensor)的IP核要求。

MD [1:0]不等于2'b11时的时序结构图


  1. corectl信号的低到高跳变以使能内核访问模式。
    1. 至少等待两个时钟脉冲,然后继续执行步骤2操作。
  2. 解除reset信号置位,将电压传感器从复位状态释放。
    1. 至少等待两个时钟脉冲,然后继续执行步骤3操作。
  3. 通过写入配置寄存器以及置位coreconfig信号8个时钟周期来配置电压传感器。内核访问模式的配置寄存器是8-bit宽,且配置数据被串行移入配置寄存器。
  4. coreconfig信号变低表示基于配置寄存器中定义的配置的转换开始。
  5. 轮询eoceos状态信号查看MD[1:0]定义的第一通道转换是否完成。在eoc信号的下降沿锁存dataout[5:0]信号的输出数据。
  6. 轮询eoceos状态信号查看MD[1:0]定义的后续通道转换是否完成。在eoc信号的下降沿锁存dataout[5:0]信号的输出数据。
  7. 重复步骤6直到eos信号被置位,表明MD[1:0]的指定通道的一个周期转换完成。
    1. 当电压传感器完成最后一个通道的转换时,eoceos信号在同一个时钟周期被置位。
    2. 通过写入配置寄存器中断电压传感器的操作,只能在eos信号的一个周期结束后进行。
  8. 序列完成时,如果corectlreset信号保持不变,将再次重复转换序列直到corectl为0且reset为1。如果要测量其他序列,请重复步骤1到步骤7。