英特尔® 22 纳米技术

引入世界上首个已准备好批量投产的三维晶体管

三维,22 纳米: 新技术将实现前所未有的性能和能效

英特尔为未来的微处理器家族引入了完全不同的技术: 采用 22 纳米工艺制造的三维晶体管。这些新型的晶体管使得英特尔可以继续不懈地追求摩尔定律,确保消费者所期望的技术进步步伐可以在未来的几年延续下去。

到目前为止,作为微处理器核心的晶体管都是二维(平面)器件。英特尔的三维三栅极晶体管以及批量制造该晶体管的能力标志着计算机芯片基本结构的巨大变化。进一步了解晶体管的发展历史(英文)。

这也意味着英特尔可以继续引领高效产品的发展,包括世界上最快的超级计算机到非常小的移动设备。

越小越好

晶体管的大小和结构是将摩尔定律的好处带给最终用户的核心。晶体管的尺寸越小,能效越高,就越好。英特尔持续以可预测的方式在一系列“世界第一”中缩小其制造技术: 2007 年 45 纳米高介电常数/金属栅极,2009 年 32 纳米,至今,2011 年推出世界第一个采用高容量逻辑工艺的 22 纳米三维晶体管。

使用尺寸更小的三维晶体管,英特尔可以设计能效更高并且更加强大的处理器。该项新技术将使实现创新性的微架构、片上系统 (SoC) 设计和新产品 - 从服务器和 PC 到智能手机以及创新性的消费产品。

三维晶体管

英特尔的三维三栅极晶体管采用在三维结构中在硅沟道周围封装的三个栅极,可以同时实现前所未有的性能和能效。英特尔设计这种新的晶体管的目的是为像智能手机和平板电脑这样的手持设备提供独特的超低能耗优势,同时实现高端处理器通常所预期的更高性能。

实现处理器创新

新晶体管还具有出色的低压效率,使英特尔® 凌动™ 处理器设计团队可以针对 22 纳米® 凌动™ 微架构实现新的架构方法创新。新设计专门最大化了极低功耗三维三栅极晶体管技术的优势。英特尔基于 22 纳米三维三栅极晶体管的未来片上系统产品将达到不到 1 mW 的空闲功耗,可以制造功耗超低的片上系统。

英特尔继续领先,用户继续受益

英特尔基于 22 纳米三维晶体管的微处理器制造已计划到 2011 年末准备好批量生产。英特尔曾展示了一台使用代码为 Ivy Bridge 的微处理器的电脑;该微处理器就是将使用三维晶体管的首个大容量芯片。

由于英特尔继续凭借 22 纳米三维晶体管技术保持其服务器、PC、笔记本电脑和手持设备产品的领先地位,消费者和企业将看到在各种华美外形下速度更快的计算和图形以及更长的电池寿命。