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英特尔® 凌动™ 处理器 E3800 及英特尔® 赛扬™ 处理器 N2900 和 J1900 产品系列

(前身为 Bay Trail)

英特尔® 凌动™ 处理器 E3800 产品系列是第一个专为智能系统 1 设计的片上系统 (SoC),可提供出色的计算、图形和媒体性能,并能在更广的热条件下运行。这些 SoC 基于 Silvermont 微体系架构,采用具有 3-D 三栅极晶体管的英特尔行业领先 22 纳米处理技术,可提供显著提高的计算性能和能效 1

该产品系列的亮点包括:高 I/O 连接性、集成内存控制器、虚拟化、纠错码 (ECC) 和内置安全功能,其热设计功率 (TDP) 范围为 5W 到 10W 2。这些 SoCs 特别适合高效成像工作流、带安全内容递送的数字标牌、视觉吸引力交互式客户机(交互式售货亭、ATM 和销售点 (POS) 终端)、便携式医疗设备、工业控制系统和车载信息娱乐 (IVI) 系统 1

两个英特尔® 赛扬® 处理器品牌 SoC 基于英特尔嵌入式发展蓝图上提供的相同微体系架构。尽管它们不提供工业温度范围或 ECC,但提供许多相同的功能和功耗比性能优势,这使它们非常适合类 PC 设计,如瘦客户机、零售交易客户机和数字标牌 3

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安卓* 开发人员

英特尔® 凌动™ 处理器 E3800 产品系列支持安卓* 4.2 (Jelly Bean) 和 4.4 (KitKat)。多家英特尔生态系统供应商为适用于安卓的英特尔板卡支持程序包 (BSP) 提供分销和支持。

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在线嵌入式主板规划簿

规划主板、执行电源和散热分析以及生成示意图,全部在线完成。

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使用英特尔凌动处理器 E3800 产品系列的产品

检查我们的解决方案联盟合作伙伴提供的基于英特尔凌动处理器 E3800 产品系列的某些嵌入式产品。

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开发资源

处理器
处理器号 订购代号 高速缓存,时钟速度 功耗 内存 产品功能和技术
英特尔® 凌动™ 处理器 E3845   FH8065301487715 2MB,1.91 GHz
10 瓦 DDR3L-1333 4 核;542/792 MHz 显卡频率(基本/睿频加速),-40o 到 110oC 温度范围,可选 ECC 内存,英特尔® 高级加密标准新指令,英特尔® 虚拟化技术
英特尔® 凌动™ 处理器 E3827
FH8065301487916 1MB,1.75 GHz 8 瓦
DDR3L-1333 双核;542/792 MHz 显卡频率(基本/睿频加速),-40o 到 110oC 温度范围,可选 ECC 内存,英特尔® 高级加密标准新指令,英特尔® 虚拟化技术
英特尔® 凌动™ 处理器 E3826
FH8065301542213 1MB,1.46 GHz
7 瓦 DDR3L-1066 双核;533/667 MHz 显卡频率(基本/睿频加速),-40o 到 110oC 温度范围,可选 ECC 内存,英特尔® 高级加密标准新指令,英特尔® 虚拟化技术
英特尔® 凌动™ 处理器 E3825 FH8065301567311 1MB,1.33 GHz
6 瓦 DDR3L-1066 双核;533 MHz 显卡频率,-40o 到 110oC 温度范围,可选 ECC 内存,英特尔® 高级加密标准新指令,英特尔® 虚拟化技术
英特尔® 凌动™ 处理器 E3815
FH8065301567411 512 KB,1.46 GHz 5 瓦
DDR3L-1066 单核;400 MHz 显卡频率,-40o 到 110oC 温度范围,可选 ECC 内存,英特尔® 高级加密标准新指令,英特尔® 虚拟化技术
英特尔® 赛扬® 处理器 J1900 FH8065301615009 2MB,2.0 GHz
10 瓦 DDR3L-1333 4 核;688/854 MHz 显卡频率(基本/睿频加速),0o 到 100oC 温度范围,英特尔® 高级加密标准新指令,英特尔® 虚拟化技术
英特尔® 赛扬® 处理器 N2930 FH8065301729501 2MB, 1.83 GHz 7.5 瓦 DDR3L-1333 4 核;313/854 MHz 显卡频率(基本/睿频加速), 英特尔® 虚拟化技术
英特尔® 赛扬® 处理器 N2920 FH8065301616203 2 MB,1.86 GHz 7.5 瓦
DDR3L-1066 4 核;311/844 MHz 显卡频率(基本/睿频加速),0o 到 100oC 温度范围,英特尔® 高级加密标准新指令,英特尔® 虚拟化技术
英特尔® 赛扬® 处理器 N2807 FH8065301730502 1MB, 1.58 GHz 4,3 瓦 DDR3L-1333 2 核;313/750 MHz 显卡频率(基本/睿频加速), 英特尔® 虚拟化技术

结构图

英特尔® 凌动™ 处理器 E3800 产品系列结构图

本结构图提供对所示平台的功能、性能和连接性的说明。该片上系统 (SoC) 基于 Silvermont 微体系架构并采用英特尔业界领先的 22 纳米工艺技术制造。这些 SoC 提供出色的计算、图形和媒体性能,并能在更广的热条件下运行。该产品系列包括:高 I/O 连接性、集成内存控制器、纠错码 (ECC) 和内置安全功能,其 TDP 范围为 5W 到 10W。

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产品和性能信息

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1. 声明基于与适用英特尔® 凌动™ 处理器的前代微体系结构比较的结果。

2. 散热设计电源范围的声明基于 2013 年 10 月发布的《英特尔® 凌动™ 处理器 E3800 产品家族散热设计指南》文档中包含的数据。请参阅 http://www.intel.com/content/www/us/en/intelligent-systems/bay-trail/atom-e3800-m-d-i-soc-thermal-design-guide.html 了解更多信息。

3. 声明基于与适用英特尔® 赛扬® 处理器的前代微体系结构比较的结果。